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D84CR1	文件：331.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 450V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：331.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
D8742	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
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更多D84CR1供应商更新时间2026-1-22 16:43:00

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