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SN74LVC1G38YZPR

丝印:D7N;Package:DSBGA;Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output

文件:1.55698 Mbytes 页数:34 Pages

TI1

德州仪器

SN74LVC1G38YZPR

丝印:D7N;Package:DSBGA;Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output

文件:2.50818 Mbytes 页数:38 Pages

TI1

德州仪器

PJD7NA60_L2_00001

丝印:D7NA60;Package:TO-252AA;600V N-Channel MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

文件:487.93 Kbytes 页数:8 Pages

PANJIT

強茂

RMD7N20ED2

丝印:D7N20;Package:PDFN2X2;N -Channel Enhancement MOSFET

Feature 20V,6.8A RDS(ON) 2KV

文件:955.64 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

D7NE65

丝印:D7NE65;Package:TO-252;7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.23798 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

D7NE65

丝印:D7NE65;Package:TO-252;7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.23868 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

D7NE65

丝印:D7NE65;Package:TO-252;7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.24296 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

D7NE65

丝印:D7NE65;Package:TO-252;7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.23795 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

D7NE65

丝印:D7NE65;Package:TO-252;7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.23783 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

TMD7N65H

丝印:D7N65H;Package:TO-252;650V N-Channel MOSFET

文件:1.71726 Mbytes 页数:10 Pages

WUMC

紫光国微

详细参数

  • 型号:

    D7N

  • 功能描述:

    逻辑门 Sngl2InptNANDGt w/OpenDrainOutput

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 产品:

    OR

  • 逻辑系列:

    LVC

  • 栅极数量:

    2

  • 线路数量(输入/输出):

    2/1

  • 高电平输出电流:

    - 16 mA

  • 低电平输出电流:

    16 mA

  • 传播延迟时间:

    3.8 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    1.65 V

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DCU-8

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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BGA5
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更多D7N供应商 更新时间2025-8-15 23:01:00