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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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深圳市富利微电子科技有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市英科美电子有限公司

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D45H11G

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深圳深宇韬电子科技有限公司

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D45H11G

特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 的VCE（sat）=1.0 V（最大）8.0 A •快速开关速度 •互补对简化设计 •？Pb-Free包可以* 最大额定值 评级符号值单位 集电极 - 发射极电压 D44H8

D45H11G中文资料Alldatasheet PDF

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D45H11G功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    D45H11G

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 4A，1V

  • 频率 - 跃迁：

    40MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 10A TO220

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