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MJD45H11	文件：64.379 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：152.94 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11	文件：47.12 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPowerTransistors Features ●LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ●FastSwitchingSpeeds ●ComplementaryPairsSimplifiesDesigns ●Pb?FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MJD45H11	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：262.93 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoTypeMJD44H11 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD45H11	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
MJD45H11	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：132.35 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistorsSILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
D45H11FP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220FP

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