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D40P3	文件：335.13 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Power Tab Transistor 文件：335.13 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
RU40P3C	文件：509.52 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：509.52 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RU40P3C	文件：343.29 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Advanced Power MOSFET 文件：343.29 Kbytes 页数：8 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
D410SLBMH	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCBGA559	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL
D425SLBXD	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCBGA559	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL

晶体管资料

型号：
D40P3
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD232,BD410,BF381,3DA87D,
最大耗散功率：
4W
放大倍数：
图片代号：
A-61
vtest：
250
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	D40P3	NJS	24+	TO-202	25		询价
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