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D3V3S1U2LP1610Q	文件：404.92 Kbytes Page：6 Pages	ONE CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE Features ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Air±30kV,Contact±30kV OneChannelofESDProtection LowChannelInputCapacitance TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™D3V3S1U2LP1610Q	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
D3V3S1U2LP1610Q-7	文件：404.92 Kbytes Page：6 Pages	Marking：PA2；Package：U-DFN1610-2；ONE CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE Features ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Air±30kV,Contact±30kV OneChannelofESDProtection LowChannelInputCapacitance TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™D3V3S1U2LP1610Q	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
D3V3S1U2LP1610Q-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0603（1610 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：SURGE PROTECTION PP U-DFN1610-2	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
D3V3S1U2LP1610	文件：278.9 Kbytes Page：5 Pages	1CHANNELHIGHSURGETVSDIODE Features ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Air±30kV,Contact±30kV OneChannelofESDProtection LowChannelInputCapacitance TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Applications CellularHa	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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