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厂商型号

D1950

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

文件大小

255.27 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2026-1-28 22:50:00

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D1950规格书详情

DESCRIPTION

The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain.

This is suitable for all kind of driving or muting.

FEATURES

● High DC Current Gain and Good hFE linearity.

hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A)

● Low Collector Saturation Voltage.

VCE(sat) = 0.18 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 10 mA)

● High VEBO : VEBO = 15 15V

产品属性

  • 型号:

    D1950

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
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