丝印：D1991A；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High Foward Current Transfer Ratio hFE Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat). Allowing Supply with the Radial Taping.

文件：1.45583 Mbytes 页数：4 Pages

DGNJDZ

南晶电子

丝印：D1994A；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage Complementary Pair with 2SB1322A Allowing Supply with the Radial Taping

文件：1.78345 Mbytes 页数：5 Pages

DGNJDZ

南晶电子

丝印：D1994A；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage Complementary Pair with 2SB1322A Allowing Supply with the Radial Taping

文件：1.78345 Mbytes 页数：5 Pages

DGNJDZ

南晶电子

丝印：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A)

文件：170.63 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

丝印：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A)

文件：149.66 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

丝印：D1980；Package：SOT-428；Power Transistor

文件：134.14 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

丝印：D1980；Package：SOT-428；Power Transistor (100V, 2A)

文件：164.68 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

Silicon NPN Epitaxial / Low frequency power amplifier

- Collector to base voltage V CBO : 25 V\n - Collector to emitter voltage V CEO : 25 V\n - Emitter to base voltage V EBO : 6V

HITACHI

日立

3V LED芯片

型号：D194A\n尺寸（mil）：9*20\n额定功率（W)：0.2W\n工作电压（V)：2.8-3.4\n额定电流（mA）：60\n波长（nm）：452.5-457.5\n亮度 （LM）：24--26\n  额定电流（mA）：60\n波长（nm）：452.5-457.5\n亮度 （LM）：24--26;

CYT

长运通半导体

旋转位置传感器

Honeywell

霍尼韦尔