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D18754EJ1V0DS00

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.6mΩTYP./2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) •HighCurrentRating ID(DC)=±160A

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    D18754EJ1V0DS00

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多D18754EJ1V0DS00供应商 更新时间2025-5-3 14:30:00