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IDDD16G65C6	文件：678.7 Kbytes Page：9 Pages	丝印：D1665C6；Package：PG-HDSOP-10-1；6th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode Features • Best in class forward voltage (1.25 V) • Best in class figure of merit (Qc x VF) • High dv/dt ruggedness (150 V/ns) Benefits • System efficiency improvement • System cost and size savings due to the reduced cooling requirements • Enabling higher frequency and increased power de 文件：678.7 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IDG1150	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	INVENSEN 上传：上海世强芯半导体有限公司	INVENSEN
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IDH04SG60C	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	INFINEON/英飞凌上传：深圳市赛特兴科技有限公司	INFINEON/英飞凌

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更多D1665C6供应商更新时间2026-10-15 17:46:00