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GPL133A	文件：447.29 Kbytes Page：20 Pages	256KBLCDCONTROLLER	GENERALPLUSGeneralplus Technology Inc. 台湾凌通	GENERALPLUS
GPL133A-NnnV-C	文件：447.29 Kbytes Page：20 Pages	256KBLCDCONTROLLER	GENERALPLUSGeneralplus Technology Inc. 台湾凌通	GENERALPLUS
HFCW-133+	文件：444.4 Kbytes Page：4 Pages	HighPassFilter Goodrejection,38dBtyp. Tinysize,0603(0.063X0.032X0.024) Goodpowerhandling,2.5W APPLICATIONS TestandMeasurementEquipment EW,RadarandECMDefenseSystems BackHaulRadioSystems	MINI Mini-Circuits	MINI
HVC133	文件：32 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=1.0pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=0.7max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVC133	文件：81.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC133	文件：23.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC133A	文件：159.73 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133	文件：37.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD133	文件：76.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133A	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
D133R
制造商：
MPD
制造商全称：
MicroPower Direct, LLC
功能描述：
Tightly Regulated Miniature, 1W SIP DC/DC Converters

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	D133R	UPD	25+	全新-电源模块	10238	UPD电源模块D133R交期短价格好#即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	D133R	UPD	23+	SIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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