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D100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
D100N03L-1	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
FIR100N03DFNG	文件：4.39155 Mbytes Page：7 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR100N03LG	文件：3.4815 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR100N03PG	文件：3.33162 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
G100N03	文件：766.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG100N03usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HLDD100N03	文件：1.00544 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HM100N03	文件：710.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
D100N03L
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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