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CZT31C	文件：1.76426 Mbytes Page：4 Pages	丝印：CZT31C；Package：SOT-223；SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to CZT32C Power amplifier applications up to 3.0 amps. 文件：1.76426 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
CZT31C-C	文件：251.2 Kbytes Page：2 Pages	丝印：CZT31C；Package：SOT-223；NPN Silicon Medium Power Transistor 文件：251.2 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
CZT31C	文件：1.76426 Mbytes Page：4 Pages	丝印：CZT31C；Package：SOT-223；SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to CZT32C Power amplifier applications up to 3.0 amps. 文件：1.76426 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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CZT31C	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT31C and CZT32C types are surface mount epoxy molded complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial base process, designed for surface mounted power amplifier applications up to 3.0 amps. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：329.48 Kbytes Page：2 Pages	3A, 100V P Silicon Medium Power Transistor 文件：329.48 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
CZT31C	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：105.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0W COMPLEMENTARY SILICON 文件：105.32 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C_15	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31CNPN	文件：105.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0W COMPLEMENTARY SILICON 文件：105.32 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central

详细参数

型号：
CZT31C
功能描述：
两极晶体管 - BJT Bipolar Power Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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