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CYD18S36V18-200BBAXI数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

CYD18S36V18-200BBAXI

参数属性

CYD18S36V18-200BBAXI 封装/外壳为256-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA

功能描述

Memories for Embedded Systems - Other Memories - Dual-Port SRAMs - FullFlex Synchronous Dual Ports

封装外壳

256-LBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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CYD18S36V18-200BBAXI价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :CYD18S36V18-200BBAXI

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density (Kb)

    :18432

  • Frequency (MHz)

    :200

  • Max. Operating Temp. (°C)

    :85

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :1.90

  • Max. Operating Voltage (V)

    :1.90

  • Min. Operating Temp. (°C)

    :-40

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :1.70

  • Min. Operating Voltage (V)

    :1.70

  • Organization (X x Y)

    :512Kb x 36

  • Speed (ns)

    :0

  • Tape & Reel

    :N

  • Temp. Classification

    :Industrial

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