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CY7C2270KV18-550BZXC中文资料双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
CY7C2270KV18-550BZXC |
参数属性 | CY7C2270KV18-550BZXC 封装/外壳为165-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
功能描述 | 双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM |
封装外壳 | 165-LBGA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-10 16:44:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:CY7C2270KV18-550BZXC
- 生产厂家
:Infineon
- Density
:36 MBit
- Peak Reflow Temp
:260 °C
- Operating Temperature
:0 °C to 70 °C
- Operating Voltage
:1.7 V to 1.9 V
- Lead Ball Finish
:Sn/Ag/Cu
- Interfaces
:Parallel
- Data Width
:x 36
- Architecture
:DDR-II+ CIO
- On-Die Termination
:Y
- Family
:DDR-II+ CIO
- Organization (X x Y)
:1Mb x 36
- Burst Length(Words)
:2
- Qualification
:Commercial
- Read Latency (Cycles)
:2.5
- Bank Switching
:N
- Frequency
:550 MHz
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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