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CY7C2245KV18-450BZXI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2245KV18-450BZXI

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:165-LBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C2245KV18-450BZXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存储容量:

    36Mb(1M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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