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CY7C1373D	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1373D-100AXC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1373D-100BGC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1373D-100BZC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1373D-100BZI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1373D-100BZXI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1373D
功能描述：
静态随机存取存储器 1Mx18 3.3V NoBL Sync PL 静态随机存取存储器 COM
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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