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CY7C1412KV18-250BZXC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:895.24 Kbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1412KV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

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CY7C1412KV18-250BZXI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

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CY7C1412KV18-250BZC

36-Mbit QDR짰 II SRAM 2-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1410KV18, CY7C1425KV18, CY7C1412KV18, and CY7C1414KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica

文件:863.37 Kbytes 页数:30 Pages

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CY7C1412KV18-250BZC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

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赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1412KV18-250BZI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

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赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1412KV18-250BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    36Mb(2M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1412KV18-250BZXC供应商 更新时间2025-12-2 13:00:00