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CY7C1321KV18-250BZCT中文资料双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1321KV18-250BZCT

参数属性

CY7C1321KV18-250BZCT 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

封装外壳

165-LBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:21:00

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CY7C1321KV18-250BZCT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :CY7C1321KV18-250BZCT

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 合格汽车

    :否

  • 突发长度(字)

    :4

  • 密度 (Kb)

    :18432

  • Density (Mb)

    :18

  • 频率 (MHz)

    :250

  • 最高工作温度 (°C)

    :70

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :1.90

  • 最高工作电压 (V)

    :1.90

  • 最低工作温度 (°C)

    :0

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :1.40

  • 最低工作电压 (V)

    :1.70

  • 组织 (X x Y)

    :512Kb x 36

  • Part Family

    :DDR-II CIO

  • Tape & Reel

    :是

  • 温度分类

    :商用

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