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CY7C1320BV18中文资料18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
CY7C1320BV18 |
参数属性 | CY7C1320BV18 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
功能描述 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
封装外壳 | 165-LBGA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 16:30:00 |
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技术参数
- 产品编号:
CY7C1320BV18-167BZCT
- 制造商:
Cypress Semiconductor Corp
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,DDR II
- 存储容量:
18Mb(512K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
165-LBGA
- 供应商器件封装:
165-FBGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CY |
24+ |
BGA |
8 |
询价 | |||
CYPRESS |
24+ |
BGA |
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BGA |
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165-FBGA |
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CYPRESS |
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