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CY7C13121KV18

18-Mbit QDR짰 II SRAM 2-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C13121KV18-300BZXC

18-Mbit QDR짰 II SRAM 2-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C13121KV18-300BZXC

18-Mbit QDR® II SRAM 2-Word Burst Architecture;

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

CY7C13121KV18-300BZXC

Package:165-LBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

详细参数

  • 型号:

    CY7C13121KV18

  • 功能描述:

    IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FPBGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    2,500

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    1K(128 x 8)

  • 速度:

    100kHz

  • 接口:

    UNI/O?(单线)

  • 电源电压:

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

  • 供应商设备封装:

    8-MSOP

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CY7C13121KV18供应商 更新时间2025-7-28 14:58:00