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CY7C13121KV18-300BZXC中文资料18-Mbit QDR® II SRAM 2-Word Burst Architecture数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
CY7C13121KV18-300BZXC |
| 参数属性 | CY7C13121KV18-300BZXC 封装/外壳为165-LBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 功能描述 | 18-Mbit QDR® II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 封装外壳 | 165-LBGA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | CY7C13121KV18-300BZXC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
CY7C13121KV18-300BZXC
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，QDR II
- 存储容量：
18Mb（1M x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-LBGA
- 供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CYPRESS(赛普拉斯) |
24+ |
LBGA165 |
7350 |
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CYPRESS |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
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CYPRESS |
24+/25+ |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
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PLCC |
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CYPRESS |
23+ |
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CYPRESS |
24+ |
PLCC |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
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BGA |
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Cypress |
23+ |
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