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CY7C1311KV18中文资料18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1311KV18

参数属性

CY7C1311KV18 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

封装外壳

165-LBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    CY7C1311KV18-250BZC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    18Mb(2M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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