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CY7C106B-20VC	文件：161.8 Kbytes Page：10 Pages	256K x 4 Static RAM Functional Description The CY7C106B and CY7C1006B are high-performance CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. These devices have an automatic power-down 文件：161.8 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C106B-20VI	文件：161.8 Kbytes Page：10 Pages	256K x 4 Static RAM Functional Description The CY7C106B and CY7C1006B are high-performance CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. These devices have an automatic power-down 文件：161.8 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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更多CY7C106B-20VC供应商更新时间2025-12-1 15:31:00