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APT20M45BVR	文件：354.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV짰 POWERMOSV® POWERMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasepackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. F	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT20M45BVR	文件：92.3 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20M45BVRG	文件：354.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV짰 POWERMOSV® POWERMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasepackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. F	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT20M45BVRG	文件：337.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.045Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT20M45SVFR	文件：97.7 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV®FREDFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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