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APT20M45BVRG
厂商型号

APT20M45BVRG

功能描述

POWER MOS V짰

文件大小

354.91 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
MICROSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:16:00

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APT20M45BVRG规格书详情

POWER MOS V®

POWER MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increase packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

FEATURES

• Faster switching

• Lower Leakage

• 100 Avalanche tested

• Popular TO-247 Package

• RoHS compliant

产品属性

  • 型号:

    APT20M45BVRG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 56A TO-247

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    POWER MOS V®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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