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DZ1070N	文件：231.09 Kbytes Page：10 Pages	RectifierDiodeModule RectifierDiodeModule	eupec eupec GmbH	eupec
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F1070	文件：38.23 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
FBR1070	文件：139.17 Kbytes Page：2 Pages	10AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features ■HIGHCURRENTCAPABILITYWITHLOWVF ■HIGHSURGEVOLTAGEANDTRANSIENTPROTECTION ■HIGHEFFICIENCYw/LOWPOWERLOSS ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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