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HOA1405	文件：1.02693 Mbytes Page：18 Pages	InfraredSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
HOA1405	文件：1.0255 Mbytes Page：18 Pages	InfraredSensorsLineGuide FEATURES REFLECTIVESENSORS HOA1395. Features:Side-lookingplasticpackage •Phototransistoroutput •Infraredemitterandphototransistordetectorinasinglepackage •Lowprofilefordesignflexibility •Designedforshort-distancedetection •Enhancedsensitivity•Unfocusedforsensi	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
IIRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：116.43 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=169A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtempe	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405	文件：255.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：3.36263 Mbytes Page：9 Pages	ElectricPowerSteering(EPS) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405L	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF

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