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DAP202U	文件：808.71 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes ■Features ●Fourtypesofpackagingareavailable ●Highspeed ●Suitableforhighpackingdensitylayout ●Highreliability	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
DAP202U	文件：47.33 Kbytes Page：1 Pages	200mWDAP202USWITCHINGDIODE FEATURES: Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:100mA Collector-basevoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	FCI Amphenol ICC	FCI
DAP202U	文件：2.31327 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES: ●Fourtypesofpackagingareavailable ●Highspeed ●Suitableforhighpackingdensitylayout ●Highreliability	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
DAP202U	文件：391.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes Features ◇Fortypesofpackagingareavailable. ◇Highspeed. ◇Suitableforhighpackingdensitylayout. ◇Highreliability. Applications ◇Highspeedswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
DAP202U	文件：51.75 Kbytes Page：3 Pages	Ultrahigh-speedswitchingdiodearrays	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP202U	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP202U	文件：187.44 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highreliability. 3)Highspeed.(Typicalrecoverytime=1.5ns) 4)Suitableforhighpackingdensitylayout. Applications Ultrahighspeedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP202U	文件：63.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahighspeedswitching Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highspeed.(trr=1.5nsTyp.) 3)Suitableforhighpackingdensitylayout. 4)Highreliability. Application Ultrahighspeedswitching	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DAP202U	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP202U	文件：1.00516 Mbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP202UG	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP202UG	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP202UM	文件：1.11888 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features 1)Smallmold,flatleadtype.(UMD3F) 2)Highreliability Applications Highspeedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAP202UMFH	文件：1.4091 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DB202	文件：200.82 Kbytes Page：3 Pages	HighCurrentGlassPassivatedMoldingSingle-PhaseBridgeRectifier ReverseVoltage100to1000VForwardCurrent2.0A FEATURES PlasticPackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Highcurrentcapacitywithsmallpackage Glasspassivatedchipjunctions Superiorthermalconductivity HighIFSM	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
DB202	文件：152.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers Features ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto40Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Lead:silverplatedcopper,solderdep	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
DB202	文件：437.57 Kbytes Page：3 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgeoverloadratingof50Amperespeak •Idealforprintedcircuitboard •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°Cfor10seconds	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
DB202	文件：1.2617 Mbytes Page：6 Pages	BridgeRectifier 2.0AGlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifiers-50-1000V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
DB202	文件：353.33 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
DB202	文件：161.39 Kbytes Page：4 Pages	BridgeRectifiers Features ●ULrecognition,file#E313149 ●Highsurgecurrentcapability ●Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106 TypicalApplications GeneralpurposeuseinAC/DCbridgefullwaverectificationforSMPS,lightingballast,adapter,batterycharger,homeappliances,officeequipment,	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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产品属性

产品编号：
CURB202-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	CURB202-G	Comchip	19+	SMB(DO-214AA)	200000		询价
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