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HT2203L	文件：548.52 Kbytes Page：24 Pages	LCDMODULE(240횞RGB횞320Dots)	HYES HYES Optoelectronics, Inc.	HYES
HV2203	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203FG-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203PJ-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IIRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL2203	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL2203NL	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
CST2203
制造商：
Hammond Manufacturing
类别：
盒子，外壳，机架 > 箱
系列：
CST
包装：
盒
容器类型：
盒
大小 / 尺寸：
24.000" 长 x 8.000" 宽（609.60mm x 203.20mm）
高度：
5.000"（127.00mm）
面积 (L x W)：
192in²（1239cm²）
设计：
铰链式门，盖
材料：
金属 - 钢
颜色：
灰色
厚度：
14 号
特性：
不锈钢铰链，3 线
等级：
IP20
描述：
BOX STEEL GRAY 24\

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