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CSPT857CBVG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-TFBGA 类别：集成电路（IC）应用特定时钟/定时描述：IC CLK BUF DDR 220MHZ 1CIRC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CSPT857CBVG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-TFBGA 类别：集成电路（IC）应用特定时钟/定时描述：IC CLK BUF DDR 220MHZ 1CIRC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
857-SERIES	文件：263.29 Kbytes Page：3 Pages	857SeriesHighTempCardEdgeConnector\|Black\|0.156(3.96mm)Pitch\|0.200(5.08mm)RowSpacing\|LowProfileInsulator Features 0.156(3.96mm)ContactSpacingby0.200(5.08mm)RowSpacing Accepts.062(1.57mm)NominalThicknessP.C.Board LowProfileInsulatorBody,0.473(12.01mm) ContactTerminationOptionsincludeP.C.Tail,WireHole,WireWrap,90andExtenderBoardBends SingleorDualRowConfiguratio	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
AC857BQ	文件：433.82 Kbytes Page：7 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857BSQ	文件：316.02 Kbytes Page：5 Pages	45VDUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857CWQ	文件：337.98 Kbytes Page：5 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AN857	文件：1.0244 Mbytes Page：6 Pages	SINGLE-CELLREGULATEDQ-PUMPDRAWSLOWQUIESCENTCURRENT	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
ATF857	文件：87.58 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BA857F	文件：375.7 Kbytes Page：3 Pages	Motorspeedandphasecontrol	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BB857	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：405.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForSATtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：13.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForSAT-indoor-unitsHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconTuningDiode •ForSAT-indoor-units •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB857	文件：881.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC857	文件：525.12 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC857	文件：164.69 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857	文件：145.7 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC857	文件：1.37311 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
BC857	文件：476.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA) ●Lowvoltage.(max.65v) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC857	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers&Switches Amplifiers&Switches Bipolar:GeneralPurpose	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI

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产品属性

产品编号：
CSPT857CBVG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 应用特定时钟/定时
包装：
卷带（TR）
PLL：
是
主要用途：
存储器，DDR，SDRAM
输入：
时钟
输出：
时钟
比率 - 输入：
1：10
差分 - 输入：
是/是
频率 - 最大值：
220MHz
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFBGA
供应商器件封装：
56-CABGA（4.5x7.0）
描述：
IC CLK BUF DDR 220MHZ 1CIRC

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