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CSI130N08S2规格书详情
描述 Description
屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。
CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。
技术参数
- 制造商编号
:CSI130N08S2
- 生产厂家
:CoolSemi
- RDS(on)(mΩ)@ Typ.
:11
- RDS(on)(mΩ)@ Max.
:13
- V(GS)th(V)
:1.8
- Package
:TO-251
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BEI |
22+ |
SOP |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
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CSI |
24+ |
SOP-8 |
4000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
CSI |
25+ |
SOP-8 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
6762 |
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NA |
23+ |
SOP8 |
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CSI |
23+ |
SOP-8 |
3000 |
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Cherry Semic |
24+ |
PLCC |
37500 |
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NA |
25+ |
NA |
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全新原装正品支持含税 |
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ON |
2023+ |
SOP8 |
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进口原装,现货热卖 |
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CSI |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 |