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CSI090N06S2H数据手册CoolSemi中文资料规格书

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厂商型号

CSI090N06S2H

功能描述

SGT MOSFET

制造商

CoolSemi Cool Semiconductor Co., Limited

中文名称

功成半导体 上海功成半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 8:01:00

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CSI090N06S2H规格书详情

描述 Description

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。

技术参数

  • 制造商编号

    :CSI090N06S2H

  • 生产厂家

    :CoolSemi

  • RDS(on)(mΩ)@ Typ.

    :7.5

  • RDS(on)(mΩ)@ Max.

    :9

  • V(GS)th(V)

    :2.6

  • Package

    :TO-251

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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