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DB107	文件：171.81 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES ·Glasspassivatedchipjunction ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Idealforprintedcircuitboard ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
DB107	文件：788.68 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpSurfaceMountBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
DB107	文件：255.03 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSinglePhaseGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DB107	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	Single-phaseSiliconBridgeRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent1.0A ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent1.0A Features •HighsurgecurrentCapability •Hightempereraturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds260℃/10seconds •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
DB107	文件：61.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features ●ULRecognizedComponent ●IdealforPrintedCircuitBoard ●GlassPassivatedChipJunctions,SurgeOverloadRatingof50APeak ●Simple,CompactStructureforTrouble-freePerformance ●PlasticPackage-ULFlammabilityClassification94V-0	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DB107	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS BREAKDOWNVOLTAGE:6.8---200V PEAKPULSEPOWER:1500W FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.05 ◇Excellentclam	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DB107	文件：140.61 Kbytes Page：4 Pages	Bridgerectifiers MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS Ratingsat25°Cambienttemperatureunlessotherwisespecified.Singlephase,halfwave,60Hz,resistiveorinductiveload.Forcapacitiveload,deratecurrentby20.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
DB107	文件：67 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A FEATURE Idealforprintedcircuitboard ReliablelowcostconstructionutilizingmoldedplasticTechnique Surgeoverloadrating:50Apeak ULrecognizedfile#E-107371	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
DB107	文件：95.2 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
DB107	文件：251.443 Kbytes Page：2 Pages	1A1000VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
CSFMT107-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123H
供应商器件封装：
SOD-123H
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 500V 1A SOD123H

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更多CSFMT107-HF供应商更新时间2025-7-18 14:00:00

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