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DB107	文件：171.81 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES ·Glasspassivatedchipjunction ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Idealforprintedcircuitboard ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
DB107	文件：788.68 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpSurfaceMountBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
DB107	文件：255.03 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSinglePhaseGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DB107	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	Single-phaseSiliconBridgeRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent1.0A ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent1.0A Features •HighsurgecurrentCapability •Hightempereraturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds260℃/10seconds •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
DB107	文件：61.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features ●ULRecognizedComponent ●IdealforPrintedCircuitBoard ●GlassPassivatedChipJunctions,SurgeOverloadRatingof50APeak ●Simple,CompactStructureforTrouble-freePerformance ●PlasticPackage-ULFlammabilityClassification94V-0	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DB107	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS BREAKDOWNVOLTAGE:6.8---200V PEAKPULSEPOWER:1500W FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.05 ◇Excellentclam	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DB107	文件：140.61 Kbytes Page：4 Pages	Bridgerectifiers MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS Ratingsat25°Cambienttemperatureunlessotherwisespecified.Singlephase,halfwave,60Hz,resistiveorinductiveload.Forcapacitiveload,deratecurrentby20.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
DB107	文件：67 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A FEATURE Idealforprintedcircuitboard ReliablelowcostconstructionutilizingmoldedplasticTechnique Surgeoverloadrating:50Apeak ULrecognizedfile#E-107371	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
DB107	文件：95.2 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
DB107	文件：251.443 Kbytes Page：2 Pages	1A1000VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
CSFMT107-G
制造商：
COMCHIP
制造商全称：
Comchip Technology
功能描述：
Low Profile SMD Super Fast Recovery Rectifiers

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更多CSFMT107-G供应商更新时间2025-7-18 15:34:00

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