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厂商型号

CSD88539NDT.B

功能描述

CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

88539N

封装外壳

SOIC

文件大小

1.15471 Mbytes

页面数量

14

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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CSD88539NDT.B规格书详情

1 Features

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Avalanche Rated

• Pb Free

• RoHS Compliant

• Halogen Free

2 Applications

• Half Bridge for Motor Control

• Synchronous Buck Converter

3 Description

This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power

MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurrent

motor control applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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