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D882	文件：126.74 Kbytes Page：1 Pages	NPNTRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
D882	文件：304.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage. ●ExcellenthFElinearityandhighhFE. ●Lesscrampingspacerequiredduetosmallandthin Packageandreducingthetroubleforattachmenttoa radiator. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
D882	文件：198.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage. ●ExcellenthFElinearityandhighhFE. ●Lesscrampingspacerequiredduetosmallandthin Packageandreducingthetroubleforattachmenttoa radiator. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
D882	文件：397.43 Kbytes Page：2 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
D882	文件：187.47 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation MARKING:882	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
D882	文件：262.56 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
D882	文件：642.73 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors Features ●ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400(VCE=2V,IC=1A)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
D882	文件：165.08 Kbytes Page：2 Pages	NPN(fortheoutputstageof3wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver) SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
D882	文件：554.52 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNTRANSISTORS DESCRIPTION The D882isavailableinSOT89Package FEATURES Powerdissipation AvailableinSOT89Package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
D882	文件：268.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD882isNPNsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3 wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelay driver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)=0.5VMAX.(IC=−2A,IB=0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
CSD882E
制造商：
CDIL
制造商全称：
Continental Device India Limited
功能描述：
Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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