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CSD17313Q2
厂商型号

CSD17313Q2

功能描述

CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

1733

封装外壳

WSON

文件大小

467.86 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 12:03:00

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CSD17313Q2规格书详情

1 Features

• Optimized for 5-V Gate Drive

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Pb-Free

• RoHS Compliant

• Halogen-Free

• SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

2 Applications

• DC-DC Converters

• Battery and Load Management Applications

3 Description

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm x 2-mm SON NexFET™

power MOSFET is designed to minimize losses in

power conversion applications and optimized for 5-V

gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON

offers excellent thermal performance for the size of

the package.

产品属性

  • 型号:

    CSD17313Q2

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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