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D1047	文件：740.44 Kbytes Page：4 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Largecurrentcapacitance ●ComplementaryPNPTypes:2SB817 APPLICATIONS ●Highaudiofrequencyoutputstage ●Poweramplifier	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
D1047	文件：187.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •Complementtotype2SB817 •WithTO-3PNpackage APPLICATIONS •Poweramplification •Lowfrequencyandaudioband	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
D1047	文件：130.41 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(12A,140V,100W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
D1047	文件：48.78 Kbytes Page：1 Pages	NPNPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER ●HighCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●Complementaryto2SB817	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
D1047	文件：1.27404 Mbytes Page：7 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Features For60Waudiofrequencyamplifieroutputstage,Complementaryto2SB817. Applications Designedforuseinaudiofrequencyamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
D1047	文件：127.42 Kbytes Page：4 Pages	140V/12AAF60WOutputApplications Features •Capableofbeingmountedeasilybecauseofone pointfixingtypeplasticmoldedpackage(Inter changeablewithTO-3). •WideASObecauseofon-chipballastresistance. •GooddepenedenceoffToncurrentandexcellent highfrequencyresponce. Thedescriptionsinpare	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
D1047	文件：190.98 Kbytes Page：10 Pages	Powersupply Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=140V ■Typicalft=20MHz ■Fullycharacterizedat125°C Ap	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
D1047C	文件：450.72 Kbytes Page：2 Pages	140V/12A,AF80WOutputApplications Features •Largecurrentcapacitance. •WideASOandhighdurabilityagainstbreakdown. •AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
D1047E	文件：290.86 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=140V(Min) •GoodLinearityofhFE •HighCurrentCapability •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SB817E •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DDC1047	文件：180.35 Kbytes Page：2 Pages	3W,WideInputRangeSMD,Single&DualOutputDC/DCConverters MPSIndustriesDDC10003WDC/DCsareingull-wingSMTpackageandmeet245ºC/10secinsolder-reflowforleadfreeprocess. Theseriesconsistsof21modelsthatoperateoverinputvoltagerangesof9-18VDC,18-36VDCand36-75VDCwhichprovidepreciselyregulatedoutputvoltagesof3.3V,5V,12V,	MPSINDMPS Industries, Inc. 美国芯源	MPSIND

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详细参数

型号：
CSC1047D
功能描述：
BJT

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