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DMT3002LPS	文件：467.49 Kbytes Page：7 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMT3002LPS	文件：640.43 Kbytes Page：7 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPowerDI Description ThisnewgenerationN-ChannelEnhancementModeMOSFETisdesignedtominimizeRDS(ON),yetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thisdeviceisidealforuseinpowermanagementandloadswitch. Features •ThermallyEfficientPackage–CoolerRunningApplications •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMTH3002LPS	文件：458.12 Kbytes Page：7 Pages	30V175CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMTH3002LPS	文件：642.44 Kbytes Page：7 Pages	30V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E3002S	文件：73.98 Kbytes Page：1 Pages	2C227/30BCFLEXFLEXSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
EG3002	文件：772.83 Kbytes Page：11 Pages	SinglechannelMOSFETdrivechip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
EPZ3002G	文件：53.77 Kbytes Page：1 Pages	PowerChoke	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
ER3002PT	文件：72.91 Kbytes Page：4 Pages	ISOLATIONSUPERFASTRECOVERYRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
F3002	文件：36.21 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F3002TERU	文件：366.23 Kbytes Page：2 Pages	F3000TERUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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详细参数

型号：
CS3002-ISZ
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Noise-Optimized Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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