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B106S	文件：556.31 Kbytes Page：5 Pages	MINISURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES •PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryrecognition94V-O •Lowleakage •Surgeoverloadrating--30amperespeak •Idealforprintedcircuitboard •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:Reliablelowcostconstructionut	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BB106A	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •HighlinearitylownoiseRFtransistor •22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA •ForUHF/VHFapplications •Driverformultistageamplifiers •Forlinearbroadbandandantennaamplifiers •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiers •Forlinearbroadbandamplifiers •Specialapplication:antennaamplifiers •Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BR106	文件：127.54 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50TO1000VOLTSCURRENT10Amperes FEATURES •ULrecognizedfile#E149311 •Surgeoverloadrating-150amperesepeak •Lowforwardvoltagedrop •Smallsize:simpleinstallation •Mountingposition:Any •Electricallyisolatedbase-1800Volts •Epoxy:UL94-0Rateflameretardant	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
BR106	文件：902.47 Kbytes Page：4 Pages	BRIDGERECTIFIERS10Amps BRIDGERECTIFIERS10Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BR106	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR106	文件：119.96 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BR106	文件：115.41 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10Amperes FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboard ●Highisolationvoltagefromcasetoleads ●Hightemperaturesoldering	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BR106	文件：126.24 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIERS	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BR106	文件：228.72 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10Amperes FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboard ●Highisolationvoltagefromcasetoleads ●Hightemperaturesoldering	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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详细参数

型号：
CRF106
制造商：
CYSTEKEC
制造商全称：
Cystech Electonics Corp.
功能描述：
1.0Amp. Fast Recovery Rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	CRF106	CYSTEKEC	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市纽联电子有限公司	CRF106LB	CYSTECH ELECTRONICS CORP			100000	全新原装现货样品可售	询价
上海金庆电子技术有限公司	CRF-10A-250-CPL		新		1	全新原装货期两周	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CRF1206FX3L50ELF	BOURNS/伯恩斯	2016+	SMD	493900	房间现货原装进口价格优势长期稳定供应	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CRF1206FX3L50ELF	BOURNS/伯恩斯	21+ROHS	SMD	392200	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市易讯博科技有限公司	CRF1206-FX-R010ELF	Bourns	22+	NA	5889	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CRF1206-FX-R010ELF	BOURNS/伯恩斯	2021	SMD	52177	现货库存一站式配套元器件	询价
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更多CRF106供应商更新时间2024-5-13 16:22:00

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