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CPH6442中文资料单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,6A,43mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

CPH6442

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,6A,43mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:27:00

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CPH6442规格书详情

描述 Description

CPH6442 is an N-Channel Power MOSFET with a drain-to-source voltage (VDSS) of 60V, a drain current (ID) of 6A and a low On-resistance of 43mΩ. This device comes in a single CPH6 package.

特性 Features

• Low On-Resistance
• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses. Reduces Heat Dissipation
• RoHS Compliance
• Environmental Consideration
• ESD Diode - Protected Gate
• ESD Resistance
• 4.0V drive

应用 Application

• Load Switch
• Electronic Bidet Toilet Seat
• Auto Lighting, Sensor

技术参数

  • 制造商编号

    :CPH6442

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.6

  • ID Max (A)

    :6

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :59

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :43

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :20

  • Ciss Typ (pF)

    :1040

  • Package Type

    :CPH-6

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