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CPH6020中文资料RF Transistor, NPN Single, 8 V, 150 mA, fT = 16 GHz数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

CPH6020

参数属性

CPH6020 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH

功能描述

RF Transistor, NPN Single, 8 V, 150 mA, fT = 16 GHz
RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH

封装外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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CPH6020规格书详情

描述 Description

CPH6020 is RF Transistor, 8 V, 150 mA, fT = 16 GHz, NPN Single CPH6.

特性 Features

• Low noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz)
• High cut off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V)
• High gain : Forward Transfet Gain=13.5dB typ (f=1GHz)

简介

CPH6020属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的CPH6020晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CPH6020

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.15

  • VCEO(sus) Min (V)

    :8

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :150

  • PTM Max (W)

    :0.7

  • fT Min (MHz)

    :13000

  • NF Typ. (dB)

    :1.2

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :13.5

  • Package Type

    :CPH-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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