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CPH6001A中文资料射频晶体管,12 V,100 mA,fT = 6.7 GHz数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

CPH6001A

参数属性

CPH6001A 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH

功能描述

射频晶体管,12 V,100 mA,fT = 6.7 GHz
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH

封装外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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CPH6001A规格书详情

描述 Description

CPH6001A is RF Transistor, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single CPH6 for high frequency, low noise amplifier applications.

特性 Features

• High gain : Forward Transfer Gain=11dB typ (f=1GHz)
• High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ
• Small and slim 6-pin package
• Large allowable collector dissipation : 800mW(max)

简介

CPH6001A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的CPH6001A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CPH6001A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • VCEO(sus) Min (V)

    :12

  • hFE Min

    :90

  • hFE Max

    :180

  • PTM Max (W)

    :0.8

  • fT Min (MHz)

    :5000

  • NF Typ. (dB)

    :1.1

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :11

  • Package Type

    :CPH-6

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