CPH3212数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
CPH3212 |
参数属性 | CPH3212 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 5A 3CPH |
功能描述 | Bipolar Transistor, 50V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single CPH3 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 18:14:00 |
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CPH3212规格书详情
描述 Description
CPH3212 is Bipolar Transistor, 50V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single CPH3 for DC-DC Converter Applications.
特性 Features
• Adoption of MBIT processes
• High current capacitance
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm)
• High allowable power dissipation
应用 Application
• Relay drivers, Lamp drivers, , Motor drivers, Flash
简介
CPH3212属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的CPH3212晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:CPH3212
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.15
- IC Cont. (A)
:5
- VCEO Min (V)
:50
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.8
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:200
- hFE Max
:560
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:0.9
- Package Type
:CPH-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
两年内 |
NA |
4 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
SANYO |
05+ |
SOT-23 |
6000 |
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询价 | ||
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2223+ |
SOT23 |
26800 |
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23+ |
NA |
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SANYO |
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SOT-23 |
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1983 |
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SOT23 |
51000 |
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51000 |
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ON |
23+ |
SOT23 |
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