CPH3140数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
CPH3140 |
参数属性 | CPH3140 封装/外壳为SC-96;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A 3CPH |
功能描述 | Bipolar Transistor, (-)100V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 |
封装外壳 | SC-96 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
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CPH3140规格书详情
描述 Description
CPH3140 is Bipolar Transistor, (-)100V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 for High-Voltage Switching Applications.
特性 Features
• Adoption of FBIT, MBIT processes
• High breakdown voltage and large current capacity
• High-speed switching
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs
简介
CPH3140属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的CPH3140晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:CPH3140
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:120
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.85
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:140
- hFE Max
:400
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:0.9
- Package Type
:CPH-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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