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CPH3101数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

CPH3101

参数属性

CPH3101 封装/外壳为3-SMD,鸥翼;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 2A 3CPH

功能描述

Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3
TRANS PNP 30V 2A 3CPH

封装外壳

3-SMD,鸥翼

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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CPH3101规格书详情

描述 Description

CPH3101 is Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3 for DC-DC Converter Applications.

特性 Features

• Adoption of FBET and MBIT processes
• Large current capacity
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• High-speed switching
• Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim
• High allowable power dissipation

应用 Application

• Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, fl ash

简介

CPH3101属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的CPH3101晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CPH3101

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.85

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :400

  • fT Min (MHz)

    :150

  • PTM Max (W)

    :0.9

  • Package Type

    :CPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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