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ESDSLC5V0LB	文件：618.23 Kbytes Page：4 Pages	Lowclampingvoltage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ESDSLC5V0LTB-TP	文件：1.38838 Mbytes Page：4 Pages	2-LineUltraLowCapacitanceTVSDiode Features Uitrasmalpackage:1.0x0.6x0.5mm Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(1/0-1/0) Ultralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:5V Lowclampingvoltage 3-pinleadlesspackage Upto2-ineprotects Complieswithfollowingstandards: ~IEC610004-2(ESD)immunitytest Ardischa	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
ESDSLC5V0M	文件：645.41 Kbytes Page：3 Pages	Unidirectionalconfigurations Features ■SOT-723package ■Unidirectionalconfigurations ■R2R+Zenertechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(Cj=0.3pFtyp.) ■Protectiondata/powerlineto: IEC61000-4-2±10kVcontact±18kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
ESDSUC5V0	文件：219.71 Kbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceTVSDiode Features ■60Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) ■Snap-Backtechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(0.30pFtypical) ■ESDProtectionforhigh-speeddatalinesto: IEC61000-4-2±16KVcontact±20KVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FBLC5V0AP	文件：209.3 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes DESCRIPTION DesignedtoprotectvoltagesensitiveelectroniccomponentsfromESDandothertransients. Excellentclampingcapability,lowleakage,lowcapacitance, andfastresponsetimeprovidebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD. Thecombinationofsmallsize,lowcap	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
PESD5V0HS-SF	文件：220.52 Kbytes Page：12 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription UltralowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaDSN0603-2 (SOD962-2)leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)packagedesignedtoprotectone signallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresand	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJT5V0BQG	文件：49.28 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEBI-DIRECTIONALTVSARRAYFORESDPROTECTION	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SA5V0	文件：196.07 Kbytes Page：3 Pages	500WTransientVoltageSuppressor Features ◇ConstructedwithGlassPassivatedDie ◇ExcellentClampingCapability ◇500WPeakPulsePowerDissipation ◇FastResponseTime100TestedatRatedPeakPulsePower ◇VoltageRange5.0-170Volts ◇UnidirectionalandBi-directionalVersions ◇Available(Note1)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SA5V0(C)-G	文件：145.16 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressor	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SA5V0A	文件：66.31 Kbytes Page：3 Pages	500WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features •ConstructedwithGlassPassivatedDie •ExcellentClampingCapability •500WPeakPulsePowerDissipation •FastResponseTime •100TestedatRatedPeakPulsePower •VoltageRange5.0-170Volts •UnidirectionalandBi-directionalVersionsAvailable(Note1) •AvailableinLe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
CPDZC5V0SPC-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
30V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
30W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
0.2pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
0201/DFN0603
描述：
TVS DIODE 5VWM 30VC 0201/DFN0603

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