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CP611-TIP42C-WN	文件：602.85 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 3.0 Amp, 100 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：602.77 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 100 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：602.69 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 80 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：805.74 Kbytes Page：5 Pages	NPN - High Current Transistor Die 10 Amp, 60 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：809.67 Kbytes Page：5 Pages	NPN - High Current Transistor Die 15 Amp, 60 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：519.82 Kbytes Page：5 Pages	NPN - High Voltage Transistor Die	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：475.54 Kbytes Page：4 Pages	PNP - Power Transistor Die 8.0 Amp, 150 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP611-TIP42C-WN	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

产品属性

产品编号：
CP611-TIP42C-WN
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 300mA，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
TRANSISTOR

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