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CP611-TIP42C-WN分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
CP611-TIP42C-WN |
参数属性 | CP611-TIP42C-WN 封装/外壳为模具;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR |
功能描述 | NPN - High Voltage Transistor Die |
封装外壳 | 模具 |
文件大小 |
519.82 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Central |
中文名称 | 美国中央半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-11 17:29:00 |
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CP611-TIP42C-WN规格书详情
CP611-TIP42C-WN属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的CP611-TIP42C-WN晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
CP611-TIP42C-WN
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 300mA,4V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ACP |
24+ |
DIP |
9916 |
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询价 | ||
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24+ |
SOP |
5000 |
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SYSBIOS |
24+ |
PLCC44 |
25 |
询价 |